1、GMRGMR是巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance Effect）元件的缩写。GMR磁传感器元件利用的是发生在磁性物料（例如铁、镍或钴）中磁阻效应（MR效应），即电阻随磁场变化而变化的现象。2、AMRAMR是各向异性磁阻效应（Anisotropic Magnetoresistance Effect）元件的缩写。1856年，William Thomson通过观察放置于外部磁