因为每个Modbus节点可以定义不同的设备地址,所以Modbus非常适合多节点网络应用场合。比如传感器网络、环境监测、消防、工控仪表、智能交通等领域。
RS485RS485又称EIA/TIA-485。RS485总线是硬件上的概念,在7层OSI参考模型中属于物理层的标准,与之类似的还有UART、RS232、RS422等物理层标准。RS485标准是由电信行业协会(TIA)及电子工业联盟(EIA)联合发布,规定了2线、半双工、差分信号传输,+2V~+6V 表示“0”,-6V~- 2V 表示“1” 。基于RS485物理层的协议不只有Modbus,还有Pr
MS5837是美国泰科电子(TE Connectivity)推出的超小型水深水压传感器。MS5837-30BA是带有 I2C 总线接口的新一代高分辨率压力传感器,内置24位ADC,水深分辨率为2mm。 MS5837-30BA传感器模块包含一个高线性压力传感器和一个带有内部工厂校准系数的超低功率 24 位 ΔΣ ADC。 提供精确的 24 位数字压力和温度值及不同的操作模式
01、原理图齐纳式安全栅电路一般由熔断器、并联的齐纳二极管(Zener diode)和可靠限流电阻组成。选取ia等级举例,简单看一下典型的齐纳式安全栅的原理图:02、计算公式如上图所示:经熔断器F(熔断器的分断能力应不小于所安装电路的最大预期电流,对于交流电压不超过250V的电网供电系统,预期电流通常应认为是交流1500A)保护的齐纳二极管D1~D3限压,再经可靠电阻R限流,针对齐纳安全栅电子元器
今天,无论是材料科学还是电子技术,都已经发展的非常先进了,那为什么传感器还需要标定呢?没有足够完美的传感器 现实情况是,即使技术有多先进,同一生产批次的两个传感器,在相同的条件下可能也会有不同的响应,其读数也可能略有不同。 传感器在存储、运输和组装过程中受冷、热、震动、湿度等影响,对其响应及读数可能也略有影响。 传感器的“老化”。传感器的响应随着时间的推移
红外二氧化碳传感器由红外光源、反射式气室和红外传感器组成。红外传感器接收红外光源发出的光波,红外传感器可以测量到达的红外光的强度。当红外光穿过气室时,CO2分子会吸收特定波长的光(如图所示)。因此,可以通过比较红外光源发出的光强度和传感器接收到的光强度来计算气室中的CO2分子数量。
PM2.5激光粉尘传感器利用光散射原理对PM2.5进行测量。其工作原理是在传感器的测量“腔室”内,将激光光束照射在颗粒物上,然后这些颗粒物会辐射出射向所有方向的光线(散射)。然后,一个光探测器(或“光度计探测器”)会测量所有这些散射光,并通过这些散射光计算出腔室内颗粒物的浓度。通过这种方式,传感器能够检测到从0.3微米到2.5微米的接近微观的颗粒物。AirVisual Node/Pro中的传感器还
三线制PT100是在PT100的一端引一条导线,另一端引两条导线。三线PT100与电桥配套使用,就可以消除导线引起的电阻误差。这是工业中最常用的接线方法。电路接法:
两线就是在PT100两端各引一条导线。两线PT100接线简单,但由于连接导线必然存在引线电阻,电阻大小与导线的材质和长度的因素有关,因此这种引线方式只适用于测量精度较低的场合三线是在PT100的一端引一条导线,另一端引两条导线。三线PT100与电桥配套使用,就可以消除导线引起的电阻误差。这是工业中最常用的接线方法。应用电路:
PT100电阻温度对照表温度0-1-2-3-4-5-6-7-8-9-20018.52-19022.8322.421.9721.5421.1120.6820.2519.8219.3818.95-18027.126.6726.2425.8225.3924.9724.5424.1123.6823.25-17031.3430.9130.4930.0729.6429.2228.828.3727.9527.5
STM32和51单片机是单片机的两个系列,是常用的两种单片机。一、内核架构不同51单片机是一款经典的单片机,它于1981年由美国英特尔公司生产,其基于哈佛体系架构的8位单片机,学校的单片机入门教学一般是基于51单片机的。因为51单片机出现很早,故其性能校弱,主频一般不超过40MHz,执行指令较慢。STM32,顾名思义是32位单片机,是意法半导体(ST公司)于2004年基于ARM Cortex-M处
应变是指材料由于受力所产生的变形量,具体定义为材料的长度变化与原始长度的比率,如图所示。 应变既可以是正值(拉伸),也可以是负值(压缩)。 当材料在一个方向被压缩,它会向与该方向垂直的另外两个方向伸长,这就是泊松现象。 泊松比(v)是用来反映柏松现象的物理量,它表示横向应变与纵向应变之比的负值。 应变没有量纲,但有时会以in./in.或mm/mm等单位表示。在现实中,应变的值
1、GMRGMR是巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance Effect)元件的缩写。GMR磁传感器元件利用的是发生在磁性物料(例如铁、镍或钴)中磁阻效应(MR效应),即电阻随磁场变化而变化的现象。2、AMRAMR是各向异性磁阻效应(Anisotropic Magnetoresistance Effect)元件的缩写。1856年,William Thomson通过观察放置于外部磁