1、GMR
GMR是巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance Effect）元件的缩写。
GMR磁传感器元件利用的是发生在磁性物料（例如铁、镍或钴）中磁阻效应（MR效应），即电阻随磁场变化而变化的现象。
2、AMR
AMR是各向异性磁阻效应（Anisotropic Magnetoresistance Effect）元件的缩写。
1856年，William Thomson通过观察放置于外部磁场中的铁磁物料，发现了各向异性磁阻效应（AMR效应）。
当铁磁物料中的磁化方向与电流平行时，电子轨道就会垂直于电流，从而产生最大电阻。这增加了依赖于自旋的散射，导致电阻上升。
当磁化方向垂直于电流时，电子轨道就会与电流平行，减少了依赖于自旋的散射，并产生最小电阻。
由磁场状态引起的电阻变化率称为磁阻比率（MR比率）。AMR 传感器元件的磁阻比率约为 5%。AMR传感器元件由于结构简单，常用于磁性开关和旋转传感器。
3、TMR
TMR是穿隧磁阻效应（Tunnel Magnetoresistance Effect）元件的缩写。
TMR传感器是一种新型的磁性传感器，是日本东北大学 Terunobu Miyazaki 教授于 1995 年发现的。当两种铁磁物料的磁化方向平行时电阻减小，不平行时电阻增大。
TMR 交界处的磁阻比率（MR比率）在生产中可达到 100% 以上。在实验室条件下，已达到 1,000% 以上的水平。
由于TMR元件的磁阻比率极大，输出表现出“1或0”的鲜明特性，所以现在的HDD中将TMR元件当作高密度播放元件。
三种磁传感器的磁阻比率对比
如果需要给传感器增加无线传输功能，可以通过增加无线物联网控制器实现。
● 内置电池或外接5V电源供电
● 无线传输方式支持4G、NB、WIFI、LORA等
● 支持所有传感器接口
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