磁阻传感器

磁阻传感器，MR(Magnetoresistive) Sensor。

与测量温度、压力、张力或流量等传感器直接输出相关参数对应的信号不同，磁传感器通常不是直接测量相关的物理属性，而是检测由物体造成的磁场变化。因此，磁场可能携带关于方向、存在、旋转、角度或电流等属性相关的信息，这些信息由磁传感器转换为电压输出。输出信号经过信号处理后转换成所需的参数。

磁阻效应

1857年，Lord Kelvin 将一个铁块放在磁场中，注意到铁块的电阻发生了微弱变化，由此发现了磁阻效应。但直到1991年，IBM 公司在硬盘驱动器中引入了第一个 MR 头，使用一条磁阻材料来检测位数。

磁阻传感器

磁阻传感器基本上可以分为两类。

在高磁场应用中，例如施加场的磁场强度高到足以使软磁传感器材料达到饱和（约为 H>10 kA/m）时，传感器中的磁化矢量始终（几乎）平行于施加场。磁阻传感器高磁场的常见应用是非接触式角度传感器，例如 KMT32B、KMT36H 或 MLS 位移传感器。

在低磁场应用中，磁化矢量主要由带条的形式决定，因为磁化显示了纵向流变的自然偏好。外部磁场导致带条中磁化的α扭曲，这是由于磁电阻效应而改变了电阻。例如 MR174B 冲模、KMY 传感器和 MS32 等开关传感器通常工作在这种模式。